理大研發納米級鐵電體 助製超薄數據儲存器

香港文匯報訊（記者 高鈺）香港理工大學率領的團隊，早前在鐵電材料研究上取得了重大突破，團隊在一項新研究中，實現了一種備受追捧的納米級物料電行為，當中的鐵電特性能可進行大規模複製，於電子業特別是記憶儲存裝置製造具有重大應用潛力，有關成果獲得國際頂尖學術期刊《科學》（Science）刊載。

鐵電物料具有電極化本質，只要施加電流便可切換，被廣泛應用於感測器、電容器和數據存儲，電子產業對開發以鐵電體為基礎的超薄裝置深感興趣，尤其希望在納米級生產時仍能保持其特性，然而目前仍面對不少的障礙。

任何物質的原子厚度單層結構，都具有與塊狀物料截然不同的特性，其中最為人熟知的，要數僅有原子厚度的石墨烯。 將幾個原子厚度層堆疊起來，有可能產生於單層結構時不存在的新特性。理大應用物理學系納米材料講座教授兼系主任劉樹平領導的團隊，與中國人民大學、劍橋大學、南京大學學者合作，研究了由二硫化鉬（MoS2）和二硫化鎢（WS2）合組的雙層堆疊，觀察到這種物料不僅具有壓電性，還展現出鐵電效應，相關發現令人雀躍。團隊並成功就有關發現的流程進行物理學理論解釋，回應了學術界以至產業界對納米級鐵電物料需求，預料電子製造商亦將大感興趣。

劉樹平指，這種新型納米級鐵電體將可讓計算機記憶體等高科技行業受惠，「這些原子厚度的雙層物料具有低成本、低耗能和可靠的複製性，有望擴大製造規模，從而推動現代電子產品的前沿發展。」