國產芯片刻蝕設備新突破　中微新型刻蝕設備投產

（香港文匯網記者 賀鵬飛）中國半導體芯片設備龍頭企業中微公司16日宣布，其新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備Primo Twin-Star®已交付客戶投入生產，良率穩定。和國內外同類設備相比，這一刻蝕設備能以更小的佔地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，為邏輯芯片和存儲芯片等應用提供高性價比的刻蝕解決方案，可謂國產芯片刻蝕設備的又一重大突破。

光刻機、刻蝕機和MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）設備被並稱為半導體工藝三大關鍵設備。目前中國在光刻機領域嚴重落後，但在刻蝕機和MOCVD設備領域已躋身國際先進水準，並在全球市場佔有一席之地。

其中，中微公司開發的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用於國際一線客戶從65納米到5納米工藝的眾多刻蝕應用。同時，中微公司開發的用於LED和功率器件外延片生產的MOCVD設備已在客戶生產線上投入量產，並在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場佔據領先地位。

本次中微公司發布的Primo Twin-Star®是基於其已成熟的單台反應器的電感耦合等離子體刻蝕技術和雙台反應器的Primo平台，並創新使用了雙反應台腔體設計和低電容耦合3D線圈設計，創新的反應腔設計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，通過採用多區溫控靜電吸盤（ESC）增強了對關鍵尺寸均勻性和重複性的控制。

與其他同類設備相比，Primo Twin-Star® 以更小的佔地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質和導體的各種刻蝕應用，並用於功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應用。由於Primo Twin-Star®反應器在很多方面採取了和單台機Primo nanova®相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star®顯示了和單台反應器相同的刻蝕結果。這就給客戶提供了高質量、高輸出和低成本的解決方案。

「現在的製造商對於生產成本日益敏感，我們的目標是為客戶提供技術創新、高生產率和高性價比的ICP刻蝕解決方案。」中微公司集團副總裁兼等離子體刻蝕產品事業總部總經理倪圖強博士說，Primo Twin-Star®設備已在各類前道/後道製程、用於功率器件和CIS應用的深溝槽隔離刻蝕（DTI）中表現出卓越的性能。通過提供兼具這些優異性能和高性價比的解決方案，該設備不僅幫助客戶解決了技術難題，同時最大程度地提升了其投資效益。

據悉，Primo Twin-Star®刻蝕設備已收到來自國內領先客戶的訂單，且首台設備已交付客戶投入生產，良率穩定。目前，中微公司還在進行用於不同刻蝕應用的多項評估。