據財聯社報道,美東時間上周四(4月2日),由Roundhil推出的內存芯片ETF——Roundhill Memory ETF(代碼為「DRAM」)正式上市美股,被定位為市場上首款「純內存ETF」。根據公告信息,DRAM ETF是一款主動管理型ETF,費率為0.65%,投資於一系列內存和存儲產品製造商,目前僅持有九隻股票。只有50%以上收入來自HBM、DRAM、NAND的芯片公司才能被納入。該ETF主要重押全球三大DRAM巨頭:美光科技(24.99%)、三星電子(24.22%)、SK海力士(23.83%),三者合計權重超七成。其投資組合還納入了閃迪、日本鎧俠、西部電子、希捷、以及中國台灣的南亞科和華邦電等內存大廠。
作為當前市場上首個專注於投資內存芯片的ETF,DRAM ETF反映出當前內存市場的熱度已經足夠火爆。但是,也有不少投資者擔憂,這隻ETF可能會成為標誌着存儲市場已經過熱,或許會成為警示多頭的「反向賣出指標」。
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何雪沫
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